[发明专利]栅极绝缘层、TFT、阵列基板、显示装置以及制备方法有效
| 申请号： | 201110306262.7 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102629555A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 张金中 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/336;H01L21/77;H01L29/423;H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1362;C23C16/44;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种栅极绝缘层、薄膜晶体管、阵列基板、显示装置以及制备方法，包括：采用等离子化学气相沉积技术，在具有栅极图形的基板上沉积第一氮化硅层；在所述第一氮化硅层上沉积第二氮化硅层；在所述第二氮化硅层上沉积氮掺杂非晶硅层。本发明中所述的氮掺杂非晶硅层与作为薄膜晶体管的有源半导体层的非晶硅的晶格匹配度高，从而降低了晶格畸变程度，并减少了缺陷数量，载流子在迁移过程中受到的捕获和散射几率降低，提高了等效载流子迁移率，进而提高了薄膜晶体管的性能，尤其是离子(Ion)特性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 绝缘 tft 阵列 显示装置 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极绝缘层的制备方法，其特征在于，包括：沉积第一氮化硅层和第二氮化硅层；在所述第二氮化硅层上沉积氮掺杂非晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
