[发明专利]一种生产Φ6英寸区熔气掺硅单晶的热系统及工艺有效

专利信息
申请号: 201110306527.3 申请日: 2011-10-11
公开(公告)号: CN102358951A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 高树良;张雪囡;王彦君;靳立辉;康冬辉;王遵义;李建弘;沈浩平 申请(专利权)人: 天津市环欧半导体材料技术有限公司
主分类号: C30B13/20 分类号: C30B13/20;C30B29/06
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人: 王凤英
地址: 300384 天津市西青*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种生产Φ6英寸区熔气掺硅单晶的热系统及工艺。热系统包括线圈和保温筒,线圈上表面为倾斜多台阶线圈,线圈外径为Φ350±50mm,内径为Φ50±2mm,厚度为30±2mm。保温筒直径为Φ350±50mm,高度为100±20mm。线圈与保温筒的距离为100±50mm。其工艺为:在扩肩过程中向炉室内通入掺杂气体,下轴转速为7~10rpm,扩肩角度为40°±2°;在等径生长过程中,下轴下降速度约为3~4mm/min,下轴转速为3~5rpm,线圈发生器功率为其额定功率的60%~70%。通过采用新设计的热系统及调整了工艺参数,可以成功拉制出Φ6英寸区熔气掺硅单晶,解决了大直径区熔气掺硅单晶在生产过程容易产生位错断苞及“出刺”问题,从而满足市场对大直径硅单晶的需求。
搜索关键词: 一种 生产 英寸 区熔气掺硅单晶 系统 工艺
【主权项】:
一种生产Φ6英寸区熔气掺硅单晶的热系统,包括线圈(1)和保温筒(2),其特征在于:所述线圈(1)上表面为倾斜多台阶线圈,线圈(1)外径为Φ350±50mm,内径为Φ50±2mm,厚度为30±2mm。
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