[发明专利]具有非接合半导体特性靶的溅射阴极有效

专利信息
申请号: 201110306609.8 申请日: 2011-09-27
公开(公告)号: CN102420092A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: S·D·费尔德曼-皮博迪;R·D·戈斯曼;R·W·布莱克;P·L·奥基夫 申请(专利权)人: 初星太阳能公司
主分类号: H01J37/34 分类号: H01J37/34;H01J37/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 柯广华;朱海煜
地址: 美国科*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明名称为“具有非接合半导体特性靶的溅射阴极”。一般地提供了溅射阴极(10)。溅射阴极(10)可包括定义溅射表面(14)和对着溅射表面(14)的背表面(16)的半导体特性靶(12)(例如,硫化镉靶、氧化镉锡靶等)。背板(18)可放置成面向靶(12)的背表面(16)并且不接合到靶(12)的背表面(16)。非接合附连机制可将靶(12)可拆卸地保持在溅射阴极(10)之内,以使得背表面(16)在溅射期间面向背板(18)。
搜索关键词: 具有 接合 半导体 特性 溅射 阴极
【主权项】:
一种溅射阴极(10),包括:定义溅射表面(14)和背表面(16)的可拆卸靶(12),其中,所述背表面(16)对着所述溅射表面(12),并且其中,所述靶(12)包含半导体特性材料;背板(18),放置成面向所述靶(12)的所述背表面(16)并且不接合到所述靶(12)的所述背表面(16);以及非接合附连机制,可拆卸地将所述可拆卸靶(12)保持在所述溅射阴极(10)之内,以使得所述背表面(16)在溅射期间面向所述背板(18)。
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