[发明专利]硬掩模组合物和形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路器件有效
| 申请号： | 201110306768.8 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102566282A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 吴丞培;田桓承;赵诚昱;金旼秀;宋知胤;崔有廷 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09;H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： |
本发明提供硬掩模组合物，所述硬掩模组合物包括一种化合物和溶剂，所述化合物包括用以下化学式1表示的结构单元，在化学式1中，A、L、B、R1、R2、n1和n2中的每一个与在具体实施方式中所定义的相同。并且，本发明提供了利用所述硬掩模组合物形成图案的方法，以及包括通过所述图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。所述硬掩模组合物具有高的蚀刻选择性和改进的光学特性，同时保证对多重蚀刻的抗蚀性。[化学式1] |
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| 搜索关键词： | 模组 形成 图案 方法 以及 包括 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1.一种硬掩模组合物，包括：一种化合物和溶剂，所述化合物包括用以下化学式1表示的结构单元：[化学式1]![]()
其中，在化学式1中，A是-CH-或多价芳环基团，X是取代的或未取代的C1-C20亚烷基、取代的或未取代的C3-C30环亚烷基、取代的或未取代的C6-C30亚芳基、取代的或未取代的C3-C30环亚烯基、取代的或未取代的C7-C20芳基亚烷基、取代的或未取代的C1-C20杂亚烷基、取代的或未取代的C2-C30杂环亚烷基、取代的或未取代的C2-C30杂亚芳基、取代的或未取代的C2-C30亚烯基、取代的或未取代的C2-C30亚炔基、或它们的组合，L是单键、取代的或未取代的C1-C20亚烷基、取代的或未取代的C3-C30环亚烷基、取代的或未取代的C6-C30亚芳基、取代的或未取代的C3-C30环亚烯基、取代的或未取代的C7-C20芳基亚烷基、取代的或未取代的C1-C20杂亚烷基、取代的或未取代的C2-C30杂环亚烷基、取代的或未取代的C2-C30杂亚芳基、取代的或未取代的C2-C30亚烯基、取代的或未取代的C2-C30亚炔基、或它们的组合，R1和R2各自独立地是氢、羟基、卤素、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C3-C30环烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基、取代的或未取代的C3-C30环烯基、取代的或未取代的C7-C20芳基烷基、取代的或未取代的C1-C20杂烷基、取代的或未取代的C2-C30杂环烷基、取代的或未取代的C2-C30杂芳基、取代的或未取代的C2-C30烯基、取代的或未取代的C2-C30炔基、取代的或未取代的C1-C30烷氧基、或它们的组合，并且n1是1至6的整数，以及n2为1至190。
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