[发明专利]光探测器集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种光探测器集成器件，涉及光信号探测技术领域，该器件包括：半导体衬底、由下到上层叠在所述半导体衬底之上的至少两个单载流子传输探测器，所述每个单载流子传输探测器均包括：P型宽禁带阻挡层、P型窄禁带吸收层、非高掺杂宽禁带载流子耗尽层、N型宽禁带载流子收集层及至少一层重掺杂欧姆接触层；位于最底部的单载流子传输探测器底部的重掺杂欧姆接触层上设置有第一电极，位于最顶部的单载流子传输探测器顶层的重掺杂欧姆接触层上设置有第三电极。还公开了一种光探测器集成器件制备方法。本发明在保持单载流子传输探测器响应带宽和饱和功率的前提下提高探测器对光的吸收效率。

主权项

一种光探测器集成器件，其特征在于，包括：半导体衬底、由下到上层叠在所述半导体衬底之上的至少两个单载流子传输探测器，所述每个单载流子传输探测器均包括：P型宽禁带阻挡层、P型窄禁带吸收层、非高掺杂宽禁带载流子耗尽层、N型宽禁带载流子收集层及至少一层重掺杂欧姆接触层；位于最底部的单载流子传输探测器底部的重掺杂欧姆接触层上设置有第一电极，位于最顶部的单载流子传输探测器顶层的重掺杂欧姆接触层上设置有第三电极。