[发明专利]一种TFT-LCD阵列基板构造及其制造方法

摘要

本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板构造及其制造方法，用于节省生产流程，降低了生产成本，该方法为：在生成TFT-LCD阵列基板时，先构造源漏电极，再构造栅电极，即源漏电极和栅电极的位置，与传统生产工艺相比正好相反，这样，即通过3次掩膜工艺即可以完成TFT-LCD阵列基板的生产流程，相对于传统的5掩膜工艺，大大节省生产流程，降低了生产成本。

主权项

一种制造薄膜晶体管液晶显示器TFT‑LCD的方法，其特征在于，包括：在玻璃基板的像素区域形成半导体层，并采用掩膜工艺在所述半导体层上形成半导体有源层；在所述玻璃基板的像素区域和数据区域上顺序形成像素电极层和源漏电极层，并采用掩膜工艺在像素区域形成的像素电极层上形成像素电极，在像素区域的源漏电极层上形成源漏电极；在玻璃基板上的像素区域、数据区域和栅极区域上顺序形成绝缘层、栅极层和光刻胶，采用灰阶掩膜工艺和显影工艺对光刻胶进行处理后，形成完全去除区域、完全保留区域、第一部分保留区域和第二部分保留区域，其中，第一部分保留区域的光刻胶厚度大于第二部分保留区域的光刻胶厚度；在玻璃基板上的数据区域中对完全去除区域的栅极层和绝缘层进行刻蚀，以及对像素区域、数据区域和栅极区域上覆盖的光刻胶进行灰化，并对玻璃基板上的像素区域上经光刻胶灰化后暴露的栅极层进行刻蚀，以及对玻璃基板上的像素区域、数据区域和栅极区域上覆盖的光刻胶再次进行灰化；在玻璃基板上的像素区域、数据区域和栅极区域上形成公共电极层，并将覆盖有公共电极层的光刻胶进行剥离，以及对经光刻胶剥离后暴露的栅极层进行刻蚀，在像素区域的栅极层上形成栅电极、在像素区域的公共电极层上形成公共电极。