[发明专利]一种Ti-Mo-N多元硬质薄膜在审
申请号: | 201110307386.7 | 申请日: | 2011-10-11 |
公开(公告)号: | CN102409290A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 韩晓芬 | 申请(专利权)人: | 宁波市瑞通新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315177 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种用于切削工具表面的具有高性能Ti-Mo-N多元硬质薄膜,其是采用磁控溅射的方法在切削工具表面制备Ti-Mo-N三元硬质薄膜,主要通过优化多元薄膜的制备工艺参数,从而获得一种具有高性能Ti-Mo-N三元薄膜的切削工具,与Ti-N二元薄膜相比,成膜后切削工具试样外观表面平整光滑,致密性好,经测试,薄膜表面的元素的原子百分含量为30.5Ti-28.3Mo-41.2N,薄膜表面的硬度为29GPa,800℃条件下的氧化增重仅为Ti-N薄膜的一半。 | ||
搜索关键词: | 一种 ti mo 多元 硬质 薄膜 | ||
【主权项】:
一种用于切削工具表面的Ti‑Mo‑N多元硬质薄膜,其是以Ti、Mo、N为薄膜的基本组成元素,采用磁控溅射的方法在切削工具表面制备Ti‑Mo‑N三元薄膜;具体通过以下制备步骤制备得到:先将切削工具基体材料表面抛光,并分别用氢氟酸、丙酮、酒精和去离子水等在超声波清洗器中各清洗约10min后烘干备用;随后,将基体材料置于磁控溅射设备真空室内的样品台上,并将纯Ti靶和Ti50Mo50合金靶分别置于不同的阴极靶位;随后将真空室内真空度抽到≤5×10‑4Pa,同时通入流量为8‑10sccm的Ar,当真空室气压为2‑4Pa时,预溅射2‑3min,预溅射的功率为50‑70W,以进一步清洗基体材料的成膜表面;随后维持Ar的流量为8‑10sccm,控制基体材料温度为40‑50℃,当真空室气压为1‑1.5Pa时,向基体材料施加100‑150V的负偏压,同时移开纯Ti靶的挡板,以50‑70W的功率进行溅射,溅射时间为5‑10min,以形成一层纯Ti薄膜;随后开始通入流量为0.3‑0.6sccm的N2,并维持Ar的流量为8‑10sccm、真空室气压为1‑1.5Pa、基体材料的负偏压为100‑150V、基体材料的温度为40‑50℃,以50‑70W的功率进行溅射,溅射时间为15‑25min,以形成一层Ti‑N二元薄膜;随后维持Ar的流量为8‑10sccm、N2的流量为0.3‑0.6sccm、真空室气压为1‑1.5Pa、基体材料的负偏压为100‑150V,升高基体材料的温度为80‑100℃,同时关闭纯Ti靶的挡板并移开Ti50Mo50合金靶的挡板,以50‑70W的功率进行溅射,溅射时间为80‑100min,以形成Ti‑Mo‑N三元薄膜。
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