[发明专利]一种高性能金属-氧化物-金属电容及其制作方法

摘要

一种高性能金属-氧化物-金属电容以及制作高性能金属-氧化物-金属电容的方法，通过有选择性对金属介电层进行光刻蚀刻来实现在同一层金属介电层中存在两种k值薄膜，将非MOM区域用低k介质填充，使得MOM区域采用高K介质，实现了高性能的金属-氧化物-金属电容，节省了芯片面积，降低了成本，同时与传统工艺相适应。

主权项

一种高性能金属‑氧化物‑金属电容，其特征在于，包括：形成在第一刻蚀阻挡层上的第一低K值介电层薄膜，所述第一低K值介电层薄膜上覆盖有第一介电层薄膜，所述第一介电层薄膜包括第一高K值区域和第一低K值区域，所述第一低K值介电层薄膜和所述第一低K值区域的材料相同；形成在第二刻蚀阻挡层上的第二低K值介电层薄膜，所述第二低K值介电层薄膜上覆盖有第二介电层薄膜，所述第二介电层薄膜包括第二高K值区域和第二低K值区域，所述第二低K值介电层薄膜和所述第二低K值区域的材料相同；所述第二刻蚀阻挡层覆盖所述第一介电层薄膜，所述第二高K值区域位于所述第一高K值区域的竖直上方，所述第二低K值区域位于所述第一低K值区域的竖直上方；所述第一介电层薄膜中的所述第一高K值区域和第一低K值区域分别设置有金属填充的若干下沟槽，所述第二介电层薄膜中的第二高K值区域和第二低K值区域分别设置有金属填充的若干上沟槽，每一个上沟槽在竖直方向上至少对应一个下沟槽；竖直贯穿第二低K值介电层薄膜和第二刻蚀阻挡层的接触孔，每一个接触孔分别与一个第二低K值区域中的上沟槽在竖直方向上重合，并接触位于所述接触孔竖直下方的下沟槽。