[发明专利]半导体封装结构及其制作方法有效
申请号: | 201110308033.9 | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN102956511A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 廖宗仁;黄成棠;彭美芳 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/29 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提出一种半导体封装结构的制作方法。该方法包括以下步骤:提供一芯片。将芯片的一有源表面配置于一承载板上。于承载板上形成一第一封装胶体。于第一封装胶体上设置一金属层。金属层具有一上表面与一下表面、多个形成于上表面的凹陷及多个形成于下表面且对应凹陷设置的突出。突出嵌于第一封装胶体内。图案化金属层以于第一封装胶体的部分区域上形成多个接垫。令承载板与第一封装胶体分离。于第一封装胶体中形成多个将突出暴露的通孔。于第一封装胶体与芯片的有源表面上形成一重配置线路层。于重配置线路层上形成多个第一焊球。部分第一焊球对应于接垫设置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种半导体封装结构的制作方法,包括:提供一芯片,具有彼此相对的一有源表面与一背面;将该芯片配置于一承载板上,其中该有源表面朝向该承载板;于该承载板上形成一第一封装胶体以覆盖该芯片;于该第一封装胶体上设置一金属层,该金属层具有彼此相对的一上表面与一下表面、多个形成于该上表面的凹陷以及多个形成于该下表面且对应所述凹陷设置的突出,其中所述突出嵌于该第一封装胶体内;图案化该金属层以于该第一封装胶体的部分区域上形成多个接垫,其中各该凹陷分别位于各该接垫的一顶表面上,而各该突出分别位于各该接垫的一底表面上;令该承载板与该第一封装胶体分离;于该第一封装胶体中形成多个将所述突出暴露的通孔;于该第一封装胶体与该芯片的该有源表面上形成一重配置线路层,其中部分该重配置线路层从该第一封装胶体延伸至该芯片的该有源表面上以及所述通孔中,以使该芯片通过部分该重配置线路层与所述接垫电性连接;以及于该重配置线路层上形成多个第一焊球,其中部分所述第一焊球对应于所述接垫设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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