[发明专利]CoNiP膜的电沉积无效
| 申请号： | 201110308067.8 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102443826A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | V·文卡塔萨米;M·孙;I·塔巴科维克;M·X·唐 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/56 | 分类号： | C25D3/56;H01F10/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在衬底上形成CoNiP的方法，包括以下步骤：在电镀浴中放置衬底，该电镀浴包含电镀组合物，该电镀组合物包括：镍源；钴源；和至少约0.1M的磷源；以及对该衬底施加沉积电流，其中对该衬底施加沉积电流将使具有至少约500纳米的厚度的CoNiP层被电沉积在该衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | conip 沉积 | ||
【主权项】：
一种在衬底上形成CoNiP的方法，包括以下步骤：在电镀浴中放置衬底，所述电镀浴包含电镀组合物，所述电镀组合物包括：镍源；钴源；和至少约0.1M的磷源；以及对所述衬底施加沉积电流，其中对所述衬底施加所述沉积电流将使具有至少约500纳米的厚度的CoNiP层被电沉积在所述衬底上。
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