[发明专利]一种生长CaxBa1-xNb2O6系列晶体的方法无效
申请号: | 201110308500.8 | 申请日: | 2011-10-12 |
公开(公告)号: | CN102358954A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | 王越;马云峰;蒋毅坚;邸大伟;徐宏;刘国庆 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B13/00 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种生长CaxBa1-xNb2O6系列晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料CaCO3、BaCO3和Nb2O5按CaxBa1-xNb2O6化学计量比进行配料,其中x=0.22、0.25、0.28、0.32或0.35,球磨烘干、200目过筛;预烧,再次球磨、烘干,80目过筛;将粉料装入长条橡胶气球中压实封闭,抽真空,等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒;将素坯棒在提拉旋转烧结炉中烧结得到致密均匀多晶料棒;将多晶料棒置于浮区炉中,以60~100℃/min的速率升温至料棒和籽晶融化,对接;设置晶体生长速度为2~5mm/h开始生长后冷却至室温。本发明首次用光学浮区法生长出直径为6~8mm、长50~115mm无宏观缺陷的CaxBa1-xNb2O6晶体,成晶质量高,简化了工艺,效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 生长 ca sub ba nb 系列 晶体 方法 | ||
【主权项】:
一种生长CaxBa1‑xNb2O6系列晶体的方法,其特征在于步骤如下:(1)将粉料CaCO3、BaCO3和Nb2O5按CaxBa1‑xNb2O6化学计量比进行配料,其中x=0.22、0.25、0.28、0.32或0.35,球磨烘干、200目过筛;在1200~1250℃保温12~30h条件下预烧,再次球磨、烘干,80目过筛;(2)将(1)中制得的80目过筛后的粉料装入长条橡胶气球中压实封闭,抽真空,在65~70MPa等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒;(3)将(2)中制得的素坯棒在提拉旋转烧结炉中1380~1440℃保温6h~24h烧结得到致密均匀多晶料棒;(4)将(3)制得的多晶料棒置于浮区炉中,设置料棒和籽晶的旋转方向为反向,旋转速度为20~40rpm,浮区炉的卤素灯的输出功率为1100~1210W/h,以60~100℃/min的速率升温至料棒和籽晶融化,对接;设置晶体生长速度为2~5mm/h开始生长;(5)设置降温时间为0.5~6h,将生长出的晶体冷却至室温。
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