[发明专利]以ZnO晶体为模型制备金属微纳米阵列电极的方法

摘要

本发明提出了一种以ZnO晶体为模型制备金属微纳米阵列电极的方法，即运用ZnO晶体阵列作为模型，用光刻胶将其淹没，待光刻胶稳固后，溶掉ZnO，在溶掉ZnO后的孔洞中电沉积金属晶体，获得的金属晶体具有ZnO的形貌，即六棱柱状。该方法制得的微阵列电极具有微电极的特征，即传质速度快，易于达到稳定电流，有较高信噪比，时间常数小，溶液电位降比较低，而且比微电极的响应电流大。

主权项

以ZnO晶体为模型制备金属微纳米阵列电极的方法，其特征是，步骤如下：（1）在基底上电沉积出ZnO晶体微纳米阵列；（2）在ZnO晶体微纳米阵列上甩一层光刻胶，将其覆盖淹没，热处理，使光刻胶稳固，然后浸入到相应光刻胶的去胶液中浸泡，或用等离子体处理，除掉部分光刻胶，使ZnO晶体的顶端露出；（3）用酸或碱浸泡处理，将ZnO晶体除掉，剩下具有规则形状孔洞的光刻胶层粘附在基底上；（4）然后将制得的样品浸入到含有待沉积金属的溶液中，用电沉积的方法沉积金属，金属晶体会在形成的孔洞中生长，但金属晶体的长度不要超过孔洞的长度；（5）最后，用去胶液或等离子体将光刻胶除掉。