[发明专利]一种垂直结构纳米线隧穿场效应晶体管及其的制备方法无效
| 申请号： | 201110309367.8 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102412301A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 包微宁;曹成伟;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/43;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种垂直结构的纳米线隧穿场效应晶体管的制备方法。在水浴环境下生长所需的ZnO纳米线，不需要高温高压环境，溶液配置简单，生长方便，价格低廉，并且直接将纳米线构成垂直结构的MOS器件，可以避免后期的纳米线处理。本发明结构简单，制造方便，成本较低，而且利用网格可以使生长的纳米线沟道与以此制造的垂直结构的MOSFET阵列排布可控，便于直接完成大规模MOSFET阵列的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 纳米 线隧穿 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直结构纳米线隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：一个p型重掺杂的半导体衬底；位于所述衬底之上形成的籽晶层；位于所述籽晶层之上形成的垂直结构的纳米线；位于所述纳米线沟道四周并覆盖所述籽晶层形成的栅介质层；覆盖所述栅介质层形成的重掺杂多晶硅栅极；所述的纳米线顶端作为器件的漏极，并与金属接触作为金属电极引出；以所述重掺杂的半导体衬底作为源极。
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