[发明专利]一种具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管无效
| 申请号： | 201110309625.2 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102354706A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;单亚东;张金平;张波;任敏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统沟槽型绝缘栅双极型晶体管结构的基础上，在N-漂移区内引入P型埋岛结构。当器件反向阻断时，P型埋岛结构及其附近的N-漂移区耗尽，通过P型埋岛结构引入正电荷的附加电场，降低了沟槽型栅底部的电场尖峰，从而提高了器件的耐压。当器件正向导通时，所引入的P型埋岛结构对正向特性无影响。本发明适用于高压半导体功率器件和功率集成电路领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 型埋岛 结构 沟槽 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有P型埋岛结构的沟槽型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的N‑漂移区(4)内具有P型埋岛结构(12)。
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