[发明专利]超厚光刻胶的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110309626.7 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN103050394A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王雷;郭晓波;程晋广 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超厚光刻胶的刻蚀方法，包括以下步骤：步骤一、使用湿法刻蚀；步骤二、硅片刻蚀并进行清洗；反复循环步骤二直至完全刻蚀。本发明通过离开刻蚀氛围进行单独清洗，然后再进行刻蚀时表面为新鲜的干净表面，刻蚀速率可以恢复至最高，避免在饱和刻蚀区域进行刻蚀，在传统多次刻蚀基础上，在每次分布刻蚀前追加清洗步骤，通过反复多次循环，大大缩短了整体刻蚀时间，提高了产能，从而降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种超厚光刻胶的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、使用湿法刻蚀；步骤二、硅片刻蚀并进行清洗；反复循环步骤二直至完全刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
