[发明专利]一种半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法无效
| 申请号： | 201110309643.0 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102412166A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 无锡世一电力机械设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人： | 杨晓东 |
| 地址： | 214192 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其特征在于包括以下步骤，步骤a：对待处理材料表面均匀施用少量助粘剂溶液，使之附着在需要加强的表面；步骤b：助粘剂溶液中的溶剂常温挥发风干，或者通过烘烤的方式烘干，挥发后的助粘剂活性成分涂层厚度控制在纳米级厚度，助粘剂活性成分涂层和待处理材料需加强的表面形成化学键合；步骤c：进行后道塑封工序，已经与待处理材料表面形成化学键合的纳米级厚度的助粘剂活性成分另一侧的官能团与塑封过程中使用的环氧树脂形成化学键合。其能够一定程度上提高芯片封装中多个关键界面的结合强度，防止工艺过程中分层、开裂；降低潮气等级数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 塑封 表面 纳米 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装在塑封前的表面纳米膜处理方法，其特征在于包括以下步骤，步骤a：对待处理材料表面均匀施用少量助粘剂溶液，使之附着在需要加强的表面；步骤b：助粘剂溶液中的溶剂常温挥发风干，或者通过烘烤的方式烘干，挥发后的助粘剂活性成分涂层厚度控制在纳米级厚度，助粘剂活性成分涂层和待处理材料需加强的表面形成化学键合；步骤c：进行后道塑封工序，已经与待处理材料表面形成化学键合的纳米级厚度的助粘剂活性成分另一侧的官能团与塑封过程中使用的环氧树脂形成化学键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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