[发明专利]In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110309719.X | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102332325A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 何军辉;张春伟;刘拥军 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;C23C14/28;C23C14/06 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 许必元 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法，将In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末均匀混合后压制成型，所述In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末的质量比为91:5:1:3，然后在1250℃下烧结，制得Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶材，将Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜，该透明导电薄膜最低电阻率可达2.23×10-4Ω·cm，平均透光率在90%以上。本发明工艺简单，采用多元掺杂进一步改善氧化铟基透明导电薄膜导电性能，通过新的高价态元素的掺入提高了材料的导电性，在相同条件下In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜比成熟的ITO有着更低的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | in sn mo nb 掺杂 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜，其特征在于：将In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3粉末均匀混合后压制成型，然后在1250℃下烧结，制得Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶材，所述In2O3、SnO2、Nb2O5和MoO3 粉末的质量比为91:5:1:3；将Nb、Mo、Sn共掺杂In2O3陶瓷靶置于脉冲激光沉积装置中沉积，制得In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜，该透明导电薄膜的最低电阻率达2.23×10‑4Ω·cm，平均透光率在90%以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州大学，未经扬州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110309719.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带有绝缘埋层的图像传感器的制作方法
- 下一篇：搅拌器
