[发明专利]划片槽框架自动设计方法有效
申请号: | 201110309721.7 | 申请日: | 2011-10-13 |
公开(公告)号: | CN103050490A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 曹晨;周京英;孙长江 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 刘昌荣 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种划片槽框架自动设计方法,对需要在划片槽中精确定位的标记图形,将该标记图形相对于划片槽框架原点的距离,转化为标记图形内部的有效图形在该标记图形内部的偏移量,重新生成新的标记图形,并优先放置在划片槽中;对带熔丝结构且熔丝结构延伸至划片槽内部的划片槽框架设计,则用只有占位标识层而无实际有效图形的占位标记图形先将熔丝结构的位置占去。该方法通过使用空图形精确占位,实现了特殊标记图形在划片槽区域的自动精确定位,确保了工程测量时图形之间不会因交叠而造成互相干扰。 | ||
搜索关键词: | 划片 框架 自动 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种划片槽框架自动设计方法,其特征在于,包括步骤:1)对需要在划片槽中精确定位的标记图形,将该标记图形相对于划片槽框架原点的距离,作为该标记图形内部有效图形在该标记图形内部的偏移量,重新生成新的标记图形;2)将步骤1)生成的新的标记图形,按照划片槽框架原点,优先放置于划片槽中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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