[发明专利]与有源区重叠的POLY切口的布局有效
| 申请号： | 201110310542.5 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102737975A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 陈蓉萱;陈炎辉;田丽钧;廖宏仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成集成电路的方法包括：在栅电极线的上方形成掩模层，其中，栅电极线位于半导体衬底的阱区域的上方；在掩模层中形成开口，其中，通过开口暴露栅电极线的部分和阱区域的阱拾取区域；以及通过开口去除栅电极线的这部分。本发明还公开了一种与有源区重叠的POLY切口的布局。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 重叠 poly 切口 布局 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在栅电极线上方形成掩模层，其中，所述栅电极线位于半导体衬底的阱区域的上方；在所述掩模层中形成第一开口，其中，通过所述第一开口暴露所述栅电极线的部分和所述阱区域的阱拾取区域；以及通过所述第一开口去除所述栅电极线的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
