[发明专利]一种采用SiGe HBT工艺的寄生PNP器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201110311540.8 | 申请日： | 2011-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN103050517A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用SiGe HBT工艺的寄生PNP器件结构的制作方法，包括：在P型衬底刻蚀浅沟槽作隔离；在浅槽底部注入硼离子经过热处理后形成N型赝埋层；在浅槽底部注入磷离子经过热处理后形成P型赝埋层；在P型衬底进行集电区注入；在集电区上方形成外延层；自外延层通过接触孔引出发射极，自N型赝埋层通过深接触孔引出基极，自P型赝埋层通过深接触孔引出集电极。本发明还公开了一种采用SiGe HBT工艺的寄生PNP器件结构。本发明的SiGe HBT采用工艺的寄生PNP器件结构及其制作方法，采用浅槽刻蚀工艺简单，能用作高速、高增益电路中的输出器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 sige hbt 工艺 寄生 pnp 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种采用SiGe HBT工艺的寄生PNP器件结构的制作方法，其特征是，包括以下步骤：(1)在P型衬底刻蚀浅沟槽作隔离；(2)在浅槽底部注入硼离子经过热处理后形成N型赝埋层；(3)在浅槽底部注入磷离子经过热处理后形成P型赝埋层；(4)在P型衬底进行集电区注入；(5)在集电区上方形成外延层；(6)自外延层通过接触孔引出发射极，自N型赝埋层通过深接触孔引出基极，自P型赝埋层通过深接触孔引出集电极。
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