[发明专利]一种锥形多层脊波导的制作方法有效

专利信息
申请号: 201110313040.8 申请日: 2011-10-14
公开(公告)号: CN103048736B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 李冰;叶果;李小刚 申请(专利权)人: 上海圭光科技有限公司
主分类号: G02B6/136 分类号: G02B6/136
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200433 上海市杨*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种合理利用等离子体刻蚀中的微负载效应制作锥形多层脊波导的方法。本发明公开的制作方法,工艺实施顺序是先浅刻蚀后深刻蚀。所述的浅刻蚀在硅片的表面单晶硅层上形成刻蚀深度由浅到深的硅槽,利用填充物填充所述硅槽,同时对硅片表面进行平坦化。后续的深刻蚀用来定义锥形多层脊波导的其它锥形台阶以及定义脊波导的目标器件区域。本发明公开的制作方法无需克服等离子体刻蚀中的微负载效应,简化了工序。形成的脊波导位于非底层和非顶层的台阶的高度从耦合端到压缩端逐渐减小。这种特殊的结构形式可以有效的减小脊波导的传输损耗,同时提高脊波导的耦合效率。
搜索关键词: 一种 锥形 多层 波导 制作方法
【主权项】:
一种锥形多层脊波导的制作方法,所述脊波导包括耦合段和压缩端,包括以下步骤:步骤1:采用等离子体刻蚀工艺,在起始硅片表面上进行刻蚀,即根据第一掩膜图形去除硅片表面的一部分物质,所述第一掩膜图形线宽从脊波导耦合端到压缩端逐渐变大,利用等离子体刻蚀中的微负载效应,形成深度沿波导耦合端到压缩端逐渐变大的若干硅槽和位于硅槽之间的硅台面;步骤2:用填充物填充步骤1中所述硅槽,并对所述硅片表面进行平坦化;步骤3:根据第二掩膜图形去除硅片表面的另一部分物质,所述第二掩膜图形线宽从脊波导耦合端到压缩端逐渐变大,利用等离子体刻蚀中的微负载效应,再次得到深度沿波导耦合端到压缩端逐渐变大的硅槽,所述硅槽紧靠步骤1中形成的硅槽;步骤4:用填充物填充步骤3中所述硅槽,并对所述硅片表面进行平坦化;步骤5:根据第三掩膜图形深刻蚀去除硅片表面的第三部分物质,定义出脊波导的目标器件区域,所述第三掩膜图形线宽从脊波导耦合端到压缩端相等,得到刻蚀深度相等的硅槽,所述硅槽紧靠步骤3中形成的硅槽;步骤6:去除残留的填充物,然后对已成型的锥形多层硅脊波导覆盖涂层。
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