[发明专利]一种储存式覆膜浸渍钡钨阴极及制备方法无效

专利信息
申请号: 201110313166.5 申请日: 2011-10-17
公开(公告)号: CN103050354A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 张明晨;张洪来;刘濮鲲;俞世吉 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: H01J23/04 分类号: H01J23/04;H01J9/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种储存式覆膜浸渍钡钨阴极,涉及电真空器件技术,阴极采用小室钨海绵基体结构:阴极分为内外两层钨海绵基体,内层钨海绵基体内端面与隔断固连,其余各面以外层钨海绵基体包覆,外层钨海绵基体侧面与另一容腔内壁固接,内层钨海绵基体的孔度为40%-45%,外层钨海绵基体的孔度为20%-22%;在外层钨海绵基体的外端面,覆有一层0s-Ir-Al膜。本发明阴极具有发射电流密度大、寿命长等特点,直流发射伏安特性曲线结果表明,阴极工作温度为950℃时,偏离点电流可达5A/cm2。本发明提高钡钨阴极的发射电流密度,增加活性物质的储存,延长阴极寿命达到12~15年,满足空间行波管对热阴极长寿命的发展需求。
搜索关键词: 一种 储存 式覆膜 浸渍 阴极 制备 方法
【主权项】:
一种储存式覆膜浸渍钡钨阴极,包括钼筒、热子、阴极;钼筒内的隔断将钼筒内分为两个容腔,一容腔内固接有热子,热子的引线由外端伸出;另一容腔内固接有阴极;其特征在于,阴极采用小室钨海绵基体结构;其中,阴极分为内外两层钨海绵基体,内层钨海绵基体(31)内端面与隔断(11)固连,其余各面以外层钨海绵基体(32)包覆,外层钨海绵基体(32)侧面与另一容腔内壁固接,内层钨海绵基体(31)的孔度为40%‑45%,外层钨海绵基体(32)的孔度为20%‑22%;在外层钨海绵基体(32)的外端面,覆有一层Os‑Ir‑Al膜(33)。
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