[发明专利]发光二极管芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201110314132.8 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103050584A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 朱广敏;郝茂盛;潘尧波;齐胜利;张楠 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B23K26/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种发光二极管芯片的制备方法，包括：提供具有正面和背面的绝缘衬底，正面定义有若干个图形单元，图形单元被划分为若干个图形区块，相邻图形单元之间具有第一走道，相邻图形区块之间具有第二走道；对第一走道进行激光内划；在第一、第二走道上刻蚀出沟槽；在绝缘衬底上形成发光外延结构；在发光外延结构上制备N电极和P电极；对绝缘衬底的背面进行减薄处理；对应于第一走道，在减薄后的背面进行激光内划；沿着第一走道进行裂片而得到LED芯片。相较于现有技术，本发明有利于外延的横向沉积，提高外延晶体生长质量，激光内划克服了常规背划芯片亮度的衰减，提高芯片侧壁出光和正面出光，使得在后续工艺制备的LED芯片具有更高的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供外延生长所需的绝缘衬底，所述绝缘衬底具有相对的正面和背面；所述绝缘衬底的正面定义有若干个图形单元，每一个图形单元被划分为若干个图形区块，相邻所述图形单元之间具有第一走道，所述图形单元中的相邻所述图形区块之间具有第二走道；对应于所述第一走道，对第一走道进行激光内划；在所述第一走道和所述第二走道上刻蚀出沟槽；在所述绝缘衬底上形成发光外延结构；在所述发光外延结构上制备N电极和P电极；对所述绝缘衬底的背面进行减薄处理；对应于所述第一走道，在减薄后的所述绝缘衬底的背面进行激光内划；沿着所述第一走道进行裂片处理而得到LED芯片。
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