[发明专利]一种硅片预清洗工艺有效
| 申请号： | 201110314257.0 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN102368468A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 王虎;靳建光;查达其;姚琪;陆波 | 申请（专利权）人： | 浙江贝盛光伏股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18;B08B3/08 |
| 代理公司： | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人： | 裴金华 |
| 地址： | 313000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种硅片预清洗工艺，依次通过浸润处理、一次冲洗、氧化处理和二次冲洗工序，对硅片进行预清洗。本发明具氧化过程中，弱碱性环境能控制过氧化氢的分解速率，在不影响氧化效果的基础上节约过氧化氢的用量，大大降低成本；且氧化过程中，过氧化氢的分解不会产生大量气泡，不会造成硅片的“漂片”现象，完全可靠，成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
一种硅片预清洗工艺，其特征在于：包括以下步骤：浸润处理，将硅片放入浸润液中，将浸润液加热至55~75℃，浸润200~600s；其中，浸润液中包括占其总体积2~6%的异丙醇和占其总体积2~8‰的表面活性剂；一次冲洗，使用去离子水对浸润完成后的硅片进行冲洗，冲洗时间为100~300s，其中，去离子水的温度为40~70℃；氧化处理，将一次冲洗后的硅片放入氧化液中，将氧化液加热至50~59℃，氧化200~500s，其中，氧化液为弱碱性溶液；二次冲洗，使用去离子水对氧化处理后的硅片进行冲洗，冲洗时间为100~300s，其中，去离子水的温度为40~70℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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