[发明专利]原子层级的等离子体刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110315395.0 | 申请日： | 2011-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103050393A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;隋运奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种原子层级的等离子体刻蚀方法，包括：提供单一元素的半导体衬底；通入刻蚀反应气体，等离子化后刻蚀反应气体与半导体衬底的表层原子发生反应生成化合物，刻蚀气体引入的原子与半导体衬底的表层原子的结合将使得半导体衬底的表层原子与其相邻层的原子的结合力大大降低，以至低于刻蚀气体引入的原子与半导体衬底的表层原子的结合力；采用溶液溶解刻蚀反应气体与半导体衬底的表层原子发生反应后所生成的化合物，得到被剥去一层原子的半导体衬底。采用本发明提供的技术方案，同样可以得到被剥去一层原子的半导体衬底，且避免了现有技术中需采用中性原子气体轰击，因此，对工艺条件要求低，易于实现且成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 层级 等离子体 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种原子层级的等离子体刻蚀方法，其特征在于，包括：提供单一元素的半导体衬底；通入刻蚀反应气体，等离子化后进行反应，所述刻蚀反应气体与所述半导体衬底的表层原子发生反应后生成化合物，所述刻蚀气体引入的原子与所述半导体衬底的表层原子的结合使得所述半导体衬底的表层原子与次层的原子的结合力降低，以至低于所述刻蚀气体引入的原子与所述半导体衬底的表层原子的结合力；采用溶液溶解所述刻蚀反应气体与所述半导体衬底的表层原子发生反应后所生成的化合物，得到被剥去一层原子的半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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