[发明专利]一种具有大磁电阻效应的p-Si基异质结构的制备方法

摘要

一种具有大磁电阻效应的p-Si基异质结构的制备方法本专利操作，步骤如下：1)在对向靶磁控溅射镀膜机的靶头上安装一对石墨靶并均匀固定Ni片；2)将带有自然氧化层的p型Si片的玻璃基底表面杂质清除后，安装在样品架上；3)开启磁控溅射镀膜机抽真空；4)向真空室通入N2和Ar的混合气体；5)开启溅射直流电源，在一对石墨靶上施加电流和电压；6)打开挡板开始溅射，在基片上生长Ni-CN复合薄膜；7)溅射完成后，向真空室充入氮气，取出制得的目标产品。本发明的优点是：该p-Si基异质结构采用CN材料作为母体，耐酸、耐氧化、抗腐蚀，可很好地保护自旋电子学器件；其制备方法工艺简单、易于实施、成本低，应用范围广。

主权项

一种具有大磁电阻效应的p Si基异质结构的制备方法本专利操作，其特征在于步骤如下：1)在对向靶磁控溅射镀膜机的靶头上安装一对石墨靶，在石墨靶上均匀固定Ni片；2)将带有自然氧化层的p型Si片的玻璃基底表面杂质清除后，安装在样品架上，安装位置在对向靶连线的中垂线上；3)开启磁控溅射镀膜机，先后启动一级机械泵和二级分子泵抽真空，直至溅射室的背底真空度为2×10–4 Pa；4)向真空室通入N2和Ar的混合气体，使得真空室中的真空度保持在1 Pa；5)开启溅射直流电源，在一对石墨靶上施加电流和电压，预溅射15分钟，等溅射电流和电压稳定；6)打开基片架上的挡板开始溅射，基片位置固定，在p型Si基片上生长Ni CN复合薄膜，从而形成Ni CN/p Si异质结构；7)生长薄膜30分钟后，关闭基片架上的挡板，然后关闭溅射电源，停止通入溅射气体Ar和N2，继续抽真空半小时后关闭真空系统，待系统冷却至室温后向真空室充入纯度为99.999%的氮气，直到真空室的气压与外面大气压相同时，打开真空室即可取出制得的Ni CN/p Si异质结构样品。