[发明专利]与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法

摘要

本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法，包括步骤：在PNP区域的N型基区的掺杂注入完成后，采用刻蚀工艺对PNP区域的基区的硅表面进行处理，使PNP区域的基区的硅表面的晶格结构被破坏；在NPN区域的N型集电区形成后，在NPN区域和PNP区域同时采用外延生长工艺形成锗硅层。本发明方法通过对PNP区域的基区的硅表面进行刻蚀处理，能使PNP区域的基区的硅表面变成非晶结构，能使后续在PNP区域形成的锗硅层为非晶结构，有利于在对PNP三极管发射区注入离子的扩散，从而能提高PNP三极管的发射区的掺杂浓度，提高器件的发射效率以及器件的放大系统，并能增加器件的截止频率。

主权项

一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法，其特征在于，包括如下步骤：硅衬底分为形成NPN三极管的NPN区域和形成PNP三极管的PNP区域，在所述PNP区域的N型基区的掺杂注入完成后，采用刻蚀工艺对所述PNP区域的所述基区的硅表面进行处理，使所述PNP区域的所述基区的硅表面的晶格结构被破坏；在所述NPN区域的N型集电区形成后，在所述NPN区域和所述PNP区域同时采用外延生长工艺形成锗硅层；所述锗硅层在所述PNP区域为多晶结构，多晶硅结构的所述锗硅层用于形成所述PNP三极管的发射区；所述锗硅层在所述NPN区域为单晶结构，单晶结构的所述锗硅层用于形成所述NPN三极管的基区。