[发明专利]半导体器件和用于制造该半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201110317572.9 申请日: 2009-09-28
公开(公告)号: CN102386236A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 宫入秀和;长多刚;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L27/02;H01L21/77
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张金金;朱海煜
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明名称为半导体器件和用于制造该半导体器件的方法。由于显示器具有更高的清晰度,像素、栅极线和信号线的数目增加。当栅极线和信号线的数目增加时,出现更高制造成本的问题,因为难以通过接合或类似方式安装包括用于驱动该栅极和信号线的驱动电路的IC芯片。像素部分和用于驱动该像素部分的驱动电路提供在相同衬底之上,并且该驱动电路的至少一部分包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管,该氧化物半导体插入提供在氧化物半导体上面和下面的栅电极之间。因此,当像素部分和驱动器部分提供在相同衬底之上时,制造成本可以降低。
搜索关键词: 半导体器件 用于 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件,其包括:包含第一氧化物半导体层的第一薄膜晶体管;以及包含第二氧化物半导体层的第二薄膜晶体管,其中所述第一薄膜晶体管包含第一栅电极,所述第一栅电极和所述第一氧化物半导体层互相重叠,其中所述第二薄膜晶体管包括第二栅电极和第三栅电极,所述第二栅电极和所述第三栅电极其间插入所述第二氧化物半导体层而互相重叠,其中所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极其中之一电连接至所述第二薄膜晶体管的源电极和漏电极其中之一,其中所述第一栅电极和所述第二栅电极其中之一电连接至所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极的所述其中之一,以及其中所述第一薄膜晶体管是增强型晶体管和耗尽型晶体管其中之一,并且所述第二薄膜晶体管是增强型晶体管和耗尽型晶体管其中另一个。
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