[发明专利]一种新型的磁隧穿结器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110318281.1 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103066199A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 季明华;韩秀峰;于国强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型的磁隧穿结器件及其制造方法。利用大马士革工艺制造磁隧穿结器件，从而在绝缘层的开口内形成杯形的磁隧穿结器件。进一步的，在杯形的磁隧穿结器件侧壁顶部形成钝化层，以封闭该侧壁顶部，从而减少磁力线的泄露。通过上述工艺，可以使得磁隧穿结器件共用CMOS工艺线，并且提高磁隧穿结器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 磁隧穿结 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁隧穿结半导体器件，包括：第一电介质层，在所述第一电介质层中具有开口；位于所述开口中的具有杯形形状的磁隧穿结。
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