[发明专利]基于缺陷结构的周期极化铌酸锂的电光调制器无效
| 申请号： | 201110318755.2 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102360130A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陆延青;宋晓诗;徐飞 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于电光效应使入射光波偏振方向旋转的电光调制器的设置方法。其特点是在周期结构的铌酸锂晶体中引入缺陷结构。该缺陷结构位于晶体正中间，其宽度为正常畴厚度的2倍。当基波入射至该晶体中，首先偏振方向逐渐发生旋转，在经过缺陷位置后，偏振方向则沿反方向旋转，出射光波则保持与原光波偏振方向相同的偏振状态出射，但相位发生很大的改变。本发明设置新颖，制备可行，在光通信领域可有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 缺陷 结构 周期 极化 铌酸锂 电光 调制器 | ||
【主权项】：
一种基于电光效应引起偏振旋转的电光调制器的设置方法，含有缺陷结构的周期极化铌酸锂超晶格基于电光效应引起偏振的旋转方向的旋转，所述铌酸锂超晶格提供的倒格矢满足入射光实现偏振旋转的波矢匹配，其特征是：在周期结构中引入缺陷，缺陷位置处于中间，外部直流电源加到周期极化铌酸锂超晶格的y面上实现入射光偏振方向的旋转及沿反方向的旋转。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110318755.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：两个太阳能电池的背接触和互连
- 下一篇：胶辊在线毛化处理装置
