[发明专利]I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法有效
| 申请号： | 201110319001.9 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102354540A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;张克基;张玉明;张玉娟;韩超;石彦强 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池中I层掺杂浓度高的问题。本发明的PIN型核电池自上而下包括放射性同位素源层(1)、SiO2致密绝缘层(2)、SiO2钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该n型SiC外延层(6)是通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的钒离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3的n型SiC外延层。本发明具有电子空穴对收集率，器件的开路电压和能量转换效率高的优点，可作为微系统的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 pin 核电 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种I层钒掺杂的PIN型核电池，自上而下依次包括放射性同位素源层(1)、SiO2钝化层(2)、SiO2致密绝缘层(3)、p型欧姆接触电极(4)、p型SiC外延层(5)、n型SiC外延层(6)、n型SiC衬底样片(7)和n型欧姆接触电极(8)，其特征在于：p型SiC外延层(5)的掺杂浓度为1×1019～5×1019cm‑3，n型SiC衬底样片(7)的掺杂浓度为1×1018～7×1018cm‑3，n型SiC外延层(6)的掺杂浓度为1×1013～5×1014cm‑3，且通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm‑2的钒离子形成。
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