[发明专利]立体结构的磁隧道结的形成方法及形成设备有效
| 申请号： | 201110319026.9 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103066200A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;C23C16/455;C23C16/44;C23C16/38;G11C11/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种立体结构的磁隧道结的形成设备，所述形成设备的结构简单，为本发明实施例的立体结构的磁隧道结的形成方法提供了有利条件。本发明实施例的形成方法中，发明人采用固态的第一反应物、固态的第二反应物和气态的第三反应物，利用原子层沉积工艺，形成作为立体结构的磁隧道结中的磁材料层的CoFeB薄膜，形成的CoFeB薄膜的质量好，后续形成的磁存储器的可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 立体 结构 隧道 形成 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种立体结构的磁隧道结的形成设备，包括用于形成磁材料层的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室包括：镀膜室，所述镀膜室一腔室壁上具有至少一个开孔；位于所述镀膜室内的第一加热器，所述第一加热器位于所述开孔位置的正下方；位于所述镀膜室上的第二加热器；位于所述第二加热器表面的第一子反应腔，所述第一子反应腔与所述开孔相连，用于提供固态的第一反应物；位于所述第二加热器表面的第二子反应腔，所述第二子反应腔与所述第一子反应腔相互分立，且与所述开孔相连，用于提供固态的第二反应物。
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