[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201110321129.9 | 申请日： | 2007-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102324420A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 荒泽亮;岩渊友幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/544;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于可以通过测量TEG的电特性管理由蒸发沉积工序导致的半导体装置内的元件的电特性的变化。本发明的技术要点如下：在有源矩阵型EL面板的衬底100中提供有使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101，并在所述蒸发沉积区域101中提供有像素区域102。TEG109设置在使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101内的像素区域102的外侧。用来测量TEG109的测量用端子部110设置在密封区域103外部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种显示装置，包括：衬底，所述衬底包括第一蒸发沉积区域和在所述第一蒸发沉积区域内的第二蒸发沉积区域，其中所述第二蒸发沉积区域具有至少四个角；像素，所述像素包括第一薄膜晶体管，并且设置在所述第二蒸发沉积区域；至少四个测试元件组，每个测试元件组包括第二薄膜晶体管，所述至少四个测试元件组中的每一个靠近所述至少四个角的每一个设置，并且在所述第二蒸发沉积区域外且在所述第一蒸发沉积区域内设置；以及第二衬底，所述第二衬底与所述第一蒸发沉积区域重叠，其中，所述第二薄膜晶体管的源极、漏极、和栅极分别电连接到第一端子、第二端子、和第三端子，其中，所述源极和所述漏极中的一个还电连接到第四端子，以及其中，所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子、和所述第四端子设置在与所述第二衬底不重叠的区域。
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