[发明专利]C波段高能碳化硅陶瓷微波负载无效
| 申请号： | 201110321453.0 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102354786A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 高恩元 | 申请（专利权）人： | 湖北汉鑫源真空电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/26 | 分类号： | H01P1/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 432000 湖北省孝感市黄*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种C波段高能碳化硅陶瓷微波负载，采用碳化硅陶瓷电阻棒为微波吸收材料，负载包括波导管、电阻棒、吸收室、连接法兰、冷却装置组成，陶瓷电阻棒采用二次过渡焊接在波导管内。负载与待吸收微波装备相连接，微波信号源进入吸收室，碳化硅陶瓷电阻棒将微波进行吸收，产生的热量通过冷却装置传递出去，在1×10-6Pa真空中、1μs50Hz条件下可承受不小于50MW的脉冲功率，且平均功率不小于2kW，电压注波小于1.1，具有负载功率容量大、可靠性高、使用寿命长，以及结构紧凑、体积小、重量轻、适应高真空环境等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 波段 高能 碳化硅 陶瓷 微波 负载 | ||
【主权项】：
一种C波段高能碳化硅陶瓷微波负载，其特征在于采用碳化硅(SiC)陶瓷为微波吸收材料，包括波导管、电阻棒、吸收室、连接法兰、冷却装置组成，波导管的一端封闭，另一端装上连接法兰，波导管的内壁焊接多个电阻棒形成微波吸收室，波导管外壁上装有冷却装置。
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