[发明专利]二极管仿真电路模型有效

专利信息
申请号: 201110322042.3 申请日: 2011-10-21
公开(公告)号: CN103064994A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 王正楠 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 王江富
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种二极管仿真电路模型,包括一正向二极管模型,还包括一电压控制电流源、一寄生电阻;电压控制电流源同所述寄生电阻串接在所述正向二极管模型的P端和N端之间;所述正向二极管模型,反向击穿电流为零;所述电压控制电流源,电流值为:本发明的二极管仿真电路模型,提高了二极管反向特性的模型精度和灵活性,在二极管的正向工作电流与反向击穿电流都能得到较好的对准精度。
搜索关键词: 二极管 仿真 电路 模型
【主权项】:
一种二极管仿真电路模型,其特征在于,包括一正向二极管模型、一电压控制电流源、一寄生电阻;所述电压控制电流源同所述寄生电阻串接在所述正向二极管模型的P端和N端之间;所述正向二极管模型,反向击穿电流为零;所述电压控制电流源,其电流值为: cur = jrev * exp ( - ( V A + Bvrev ) nrev * k * t / q ) ; 其中,cur为电压控制电流源电流值,jrev为反向击穿电流系数,Bvrev为反向击穿电压点,nrev为反向击穿电流的指数项修正系数,VA为电压控制电流源同寄生电阻连接点电压,t是环境温度,k是波尔兹曼常数,q为电荷常数。
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