[发明专利]二极管仿真电路模型有效
申请号: | 201110322042.3 | 申请日: | 2011-10-21 |
公开(公告)号: | CN103064994A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 王正楠 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王江富 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种二极管仿真电路模型,包括一正向二极管模型,还包括一电压控制电流源、一寄生电阻;电压控制电流源同所述寄生电阻串接在所述正向二极管模型的P端和N端之间;所述正向二极管模型,反向击穿电流为零;所述电压控制电流源,电流值为:本发明的二极管仿真电路模型,提高了二极管反向特性的模型精度和灵活性,在二极管的正向工作电流与反向击穿电流都能得到较好的对准精度。 | ||
搜索关键词: | 二极管 仿真 电路 模型 | ||
【主权项】:
一种二极管仿真电路模型,其特征在于,包括一正向二极管模型、一电压控制电流源、一寄生电阻;所述电压控制电流源同所述寄生电阻串接在所述正向二极管模型的P端和N端之间;所述正向二极管模型,反向击穿电流为零;所述电压控制电流源,其电流值为: cur = jrev * exp ( - ( V A + Bvrev ) nrev * k * t / q ) ; 其中,cur为电压控制电流源电流值,jrev为反向击穿电流系数,Bvrev为反向击穿电压点,nrev为反向击穿电流的指数项修正系数,VA为电压控制电流源同寄生电阻连接点电压,t是环境温度,k是波尔兹曼常数,q为电荷常数。
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