[发明专利]热敏陶瓷溅射膜电极的制备方法

摘要

本发明属于电子材料技术领域，特别是涉及一种热敏陶瓷上室温下溅射膜电极的方法，其特征主要包括：陶瓷清洗、掩膜装架、抽真空、充工作气体、溅射电极膜；本发明与现有技术相比，具有工艺设计合理、溅射成膜速度快、生产成本低廉、全制程无污染，且所制备的膜层结合牢固、高温焊接性能优良等优点，它是目前一种较为理想的热敏陶瓷电极的制备方法。

主权项

一种热敏陶瓷溅射膜电极的制备方法，其特征在于包含下列步骤：陶瓷清洗、掩膜装架、抽真空、充工作气体、溅射电极膜；各步骤的内容如下：陶瓷清洗：把陶瓷基片放到充水的球磨机中滚洗20‑60分钟，然后分别放进自来水与去离子水中超声清洗各15分钟以上，最后离心甩干并在摄氏120℃‑150℃环境中烘干；掩膜装架：将经过清洗、烘干的陶瓷基片通过掩膜工装装架到基片架上；抽真空：将装好陶瓷的基片架置于多靶磁控溅射设备内并抽真空；充工作气体：当真空度达到10‑3Pa量级时，向真空腔内动态地输入Ar等惰性气体，维持真空腔内氩气的压力在2×10‑1Pa－8×10‑1Pa范围内；溅射电极膜：在多靶磁控溅射镀膜机中向陶瓷基片表面溅射镀覆多层膜系金属膜，各个磁控溅射溅射靶的溅射功率为2‑25W/cm2，靶与基片的间距为5‑11cm，溅射镀完膜层后，向溅射腔体内充入大气，取出工件。