[发明专利]整流二极管管芯制造方法

摘要

本发明涉及一种整流二极管管芯制造方法。本发明公开了一种整流二极管管芯制造方法，改进了现有技术的生产工艺。本发明的整流二极管管芯制造方法，在管芯制作的扩散工序中，在P区杂质扩散时采用二次扩散工艺，在N-型单晶硅片上形成四层结构，即N+层、N-层、P-层和P+层，得到四层结构的晶粒，提高了P区载流子有效浓度，并且改善了表面欧姆接触层的合金质量，降低了接触电阻，有效载流面积有所提高。本发明调整了工序流程，在焊接引线之前进行管芯腐蚀，有利于得到合适的晶粒形状，简化二极管制造工序。本发明的整流二极管管芯特别适合用于制造高压整流二极管。

主权项

整流二极管管芯制造方法，包括如下步骤：a、在N‑型单晶硅片一面扩散5价杂质，形成N+层；b、在所述单晶硅片另一面扩散3价杂质，经过2次扩散分别形成P‑层和P+层；c、在所述N+层和P+层表面形成欧姆接触层；d、对上述加工完成的硅片进行切割，得到管芯；e、对所述管芯进行腐蚀，消除切割伤痕并形成管芯形状。