[发明专利]一种改善SONOS存储器可靠性性能的方法无效
| 申请号： | 201110323891.0 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103066023A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 孙勤;陈广龙 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善SONOS存储器可靠性性能的方法，包括如下步骤：第一步，在硅衬底上生长隧穿氧化层；第二步，在隧穿氧化层上生长氮氧化硅阻挡层；第三步，利用快速热氧化工艺对氮氧化硅阻挡层和隧穿氧化层进行高温退火；第四步，在氮氧化硅阻挡层上生长氮化硅陷阱层；第五步，在氮化硅陷阱层上生长高温热氧化层。通过在薄膜沉积底层氮氧化硅膜层后，利用RTP(快速热氧化工艺)对于隧穿氧化层与底层氮氧化硅阻挡层进行退火，从而去除不稳定的硅氢键，由此来提高SONOS闪存器件可靠性性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 sonos 存储器 可靠性 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善SONOS存储器可靠性性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，在硅衬底上生长隧穿氧化层；第二步，在隧穿氧化层上生长氮氧化硅阻挡层；第三步，利用快速热氧化工艺对氮氧化硅阻挡层和隧穿氧化层进行高温退火；第四步，在氮氧化硅阻挡层上生长氮化硅陷阱层；第五步，在氮化硅陷阱层上生长高温热氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
