[发明专利]一种应用于高压器件的聚酰亚胺钝化层制造工艺方法无效
| 申请号： | 201110323906.3 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103065961A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波;孟鸿林 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于高压器件的聚酰亚胺钝化层制造工艺方法，包括如下步骤：(1)常规顶层金属布线和介质钝化膜图形的形成；(2)非感光性聚酰亚胺的旋涂烘烤；(3)感光性聚酰亚胺的旋涂烘烤；(4)曝光显影去除曝光区域的感光性聚酰亚胺，曝光区域的非感光性聚酰亚胺同时也被显影去除(5)感光性聚酰亚胺和非感光性聚酰亚胺图形同时固化。采用本发明方法可以获得厚度在15微米以上的聚酰亚胺钝化层，可应用于高压半导体器件，同时简化传统的两步聚酰亚胺旋涂钝化层工艺，以降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 高压 器件 聚酰亚胺 钝化 制造 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种应用于高压器件的聚酰亚胺钝化层制造工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)常规顶层金属布线和介质钝化膜图形的形成；(2)非感光性聚酰亚胺的旋涂烘烤；(3)感光性聚酰亚胺的旋涂烘烤；(4)曝光显影去除曝光区域的感光性聚酰亚胺，曝光区域的非感光性聚酰亚胺同时也被显影去除；(5)感光性聚酰亚胺和非感光性聚酰亚胺图形同时固化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
