[发明专利]隔离腔体的制造方法无效
| 申请号： | 201110324041.2 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102408093A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张挺;张艳红;邵凯;谢志峰 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种隔离腔体的制造方法，包括步骤：提供硅基底，其上形成有基底保护层；刻蚀基底保护层和硅基底，形成多个浅槽；在基底保护层表面和浅槽的侧壁及底部淀积含易扩散元素的扩散层；将易扩散元素扩散至与扩散层相接触的硅基底中，形成重掺杂扩散区；将基底保护层表面和浅槽底部的扩散层去除，浅槽侧壁的扩散层作为侧壁保护层；以基底保护层和侧壁保护层为掩模，刻蚀多个浅槽，在硅基底中形成多个深槽；采用湿法腐蚀法腐蚀多个深槽，在硅基底内部横向形成腔体；在浅槽的侧壁之间淀积填充材料，形成插塞结构，将腔体与外界隔离。本发明采用含易扩散元素的扩散层，与重掺杂扩散区作双重保护，使硅基底表面在湿法腐蚀过程中具有更好的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种隔离腔体的制造方法，包括步骤：提供硅基底(101)，其上形成有基底保护层(102)；依次刻蚀所述基底保护层(102)和所述硅基底(101)，在所述硅基底(101)中形成多个浅槽(103)；在所述基底保护层(102)表面和多个所述浅槽(103)的侧壁及底部淀积含有易扩散元素的扩散层(104)；将所述扩散层(104)中的所述易扩散元素扩散至与所述扩散层(104)相接触的所述硅基底(101)中，在所述硅基底(101)中形成重掺杂扩散区(105)；通过回刻工艺将所述基底保护层(102)表面和所述浅槽(103)底部的所述扩散层(104)去除，所述浅槽(103)侧壁保留的所述扩散层(104)作为侧壁保护层；以所述基底保护层(102)和所述侧壁保护层为掩模，刻蚀多个所述浅槽(103)，在所述硅基底(101)中形成多个深槽(106)；采用湿法腐蚀法腐蚀多个所述深槽(106)，在所述硅基底(101)内部形成腔体(107)；以及在多个所述浅槽(103)的侧壁之间淀积填充材料(109)，在所述腔体(107)上方形成插塞结构，将所述腔体(107)与外界隔离。
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