[发明专利]白光LED外延芯片封装结构无效

专利信息
申请号: 201110324177.3 申请日: 2011-10-21
公开(公告)号: CN102332513A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 何瑞科;吉爱华;马新尚;李虹;芦增辉 申请(专利权)人: 西安重装渭南光电科技有限公司
主分类号: H01L33/02 分类号: H01L33/02;H01L33/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 714000 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供白光LED外延芯片封装结构,其显色性好、稳定性好,该白光LED外延芯片封装可生产线上进行大批量生产。本发明同时提供白光LED外延结构和工艺、白光LED芯片结构和工艺、白光LED封装结构和工艺。本发明的白光LED外延结构包括从下至上依次设置的ZnSe衬底、N-ZnSe接触层、CdZnSe蓝光发光层和P+ZnSe接触层本发明的白光LED芯片结构包括从下至上依次是N电极、ZnSe衬底、N-ZnSe接触层、CdZnSe蓝光发光层、P+ZnSe接触层、P电极。本发明的白光LED封装结构包括从下至上依次是支架、银胶、芯片、金线、硅胶。
搜索关键词: 白光 led 外延 芯片 封装 结构
【主权项】:
白光LED外延芯片封装结构,包括白光LED外延结构、白光LED芯片结构,白光LED封装结构。其特征在于:所述白光LED外延结构包括从下至上依次设置的ZnSe衬底、N‑ZnSe接触层、CdZnSe蓝光发光层和P+ZnSe接触层所述白光LED芯片结构包括从下至上依次是N电极、ZnSe衬底、N‑ZnSe接触层、CdZnSe蓝光发光层、P+ZnSe接触层、P电极。所述白光LED封装结构包括从下至上依次是支架、银胶、芯片、金线、硅胶。
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