[发明专利]白光LED外延芯片封装结构无效
申请号: | 201110324177.3 | 申请日: | 2011-10-21 |
公开(公告)号: | CN102332513A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 何瑞科;吉爱华;马新尚;李虹;芦增辉 | 申请(专利权)人: | 西安重装渭南光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 714000 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供白光LED外延芯片封装结构,其显色性好、稳定性好,该白光LED外延芯片封装可生产线上进行大批量生产。本发明同时提供白光LED外延结构和工艺、白光LED芯片结构和工艺、白光LED封装结构和工艺。本发明的白光LED外延结构包括从下至上依次设置的ZnSe衬底、N-ZnSe接触层、CdZnSe蓝光发光层和P+ZnSe接触层本发明的白光LED芯片结构包括从下至上依次是N电极、ZnSe衬底、N-ZnSe接触层、CdZnSe蓝光发光层、P+ZnSe接触层、P电极。本发明的白光LED封装结构包括从下至上依次是支架、银胶、芯片、金线、硅胶。 | ||
搜索关键词: | 白光 led 外延 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】:
白光LED外延芯片封装结构,包括白光LED外延结构、白光LED芯片结构,白光LED封装结构。其特征在于:所述白光LED外延结构包括从下至上依次设置的ZnSe衬底、N‑ZnSe接触层、CdZnSe蓝光发光层和P+ZnSe接触层所述白光LED芯片结构包括从下至上依次是N电极、ZnSe衬底、N‑ZnSe接触层、CdZnSe蓝光发光层、P+ZnSe接触层、P电极。所述白光LED封装结构包括从下至上依次是支架、银胶、芯片、金线、硅胶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安重装渭南光电科技有限公司,未经西安重装渭南光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110324177.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:自带脱水电机的拖扫把
- 下一篇:大容量数据库卡及其数据通信方法