[发明专利]LED芯片与硅基底的键合方法及封装方法有效
| 申请号： | 201110324186.2 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102339916A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张挺;谢志峰 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/64;H01L33/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片与硅基底的键合方法及封装方法。其中，键合方法包括步骤：提供硅基底，在其上形成第一含金属层；提供具有芯片基底的LED芯片，在芯片基底背面形成第二含金属层；在真空环境中、不高于250度的基底温度下，贴合第一含金属层与第二含金属层，将LED芯片与硅基底键合在一起。本发明利用金属-金属之间的紧密结合和良好热导性实现LED芯片与硅基底之间的可靠键合并提升LED芯片的散热效果，达到降低LED器件的工作温度、提升发光性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 基底 方法 封装 | ||
【主权项】：
一种LED芯片(107)与硅基底(101)的键合方法，包括步骤：提供硅基底(101)，在其上形成第一含金属层(103)；提供具有芯片基底(104)的LED芯片(107)，在所述芯片基底(104)背面形成第二含金属层(106)；在真空环境中、不高于250度的基底温度下，贴合所述第一含金属层(103)与所述第二含金属层(106)，将所述LED芯片(107)与所述硅基底(101)键合在一起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先进半导体制造股份有限公司，未经上海先进半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110324186.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电源供应器外壳
- 下一篇：带应变增强结构的半导体应变MOS器件及制备工艺
