[发明专利]利用等离子的硅烷气体去除装置无效

专利信息
申请号: 201110325850.5 申请日: 2011-10-21
公开(公告)号: CN103055671A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 严桓燮 申请(专利权)人: 严桓燮
主分类号: B01D53/76 分类号: B01D53/76;B01D53/46
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 杨黎峰;李欣
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了利用等离子的硅烷气体去除装置。本发明一实施例的硅烷气体去除装置,包括:电磁波供应部,振荡产生预设频率的电磁波;放电管,从上述电磁波供应部所供应的上述电磁波及涡流气体产生等离子;涡流气体供应部,向上述放电管供应上述涡流气体;反应炉,通过上述放电管所产生的上述等离子及硅烷气体的反应生成二氧化硅及水;点火部,向上述放电管内供应用以产生上述等离子的初始电子;硅烷气体供应部,位于上述反应炉的上端并向上述反应炉内部的上述等离子供应上述硅烷气体;以及,气体排出部,排出上述反应炉中所生成的上述二氧化硅及水。
搜索关键词: 利用 等离子 硅烷 气体 去除 装置
【主权项】:
一种硅烷气体去除装置,包括:电磁波供应部,振荡产生预设频率的电磁波;放电管,从所述电磁波供应部所供应的所述电磁波及涡流气体产生等离子;涡流气体供应部,向所述放电管供应所述涡流气体;反应炉,通过所述放电管所产生的所述等离子及硅烷气体的反应生成二氧化硅及水;点火部,向所述放电管内供应用以产生所述等离子的初始电子;硅烷气体供应部,位于所述反应炉的上端并向所述反应炉内部的所述等离子供应所述硅烷气体;及气体排出部,排出所述反应炉中所生成的所述二氧化硅及水。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于严桓燮,未经严桓燮许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110325850.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top