[发明专利]小滞后损耗的一级相变La(Fe,Si)13基磁热效应材料及其制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 201110325875.5 申请日: 2011-10-24
公开(公告)号: CN103059815A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 陈岭;胡凤霞;包立夫;王晶;孙继荣;沈保根 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: C09K5/02 分类号: C09K5/02;F25B21/00
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 郭广迅
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种小滞后损耗的一级相变La(Fe,Si)13基磁热效应材料及其制备方法和用途,所述材料具有NaZn13型结构,化学通式为:La1-xRx(Fe1-p-qCopMnq)13-ySiyAα,所述磁热效应材料为粒径15~200μm的颗粒。其制备方法包括:通过熔炼、退火制备出La1-xRx(Fe1-p-qCopMnq)13-ySiyAα材料,之后制成粒径范围15~200μm的粉末。在组分不变的情况下在15~200μm范围内调节晶粒度可获得具有小的滞后损耗强磁热效应的La(Fe,Si)13基磁热效应材料,对于这类材料实际的磁制冷应用具有重要意义。
搜索关键词: 滞后 损耗 一级相变 la fe si sub 13 热效应 材料 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
一种小滞后损耗的一级相变La(Fe,Si)13基磁热效应材料,所述磁热效应材料具有NaZn13型结构,其化学通式为:La1‑xRx(Fe1‑p‑qCopMnq)13‑ySiyAα,其中,R选自Ce、Pr和Nd元素中的一种或多种,A选自C、H和B元素中的一种或多种,x的范围是:0<x≤0.5,y的范围是:0.8<y≤1.6,p的范围是:0≤p≤0.2,q的范围是:0≤q≤0.2,α的范围是:0≤α≤3.0;其中,所述磁热效应材料为粒径范围15~200μm的颗粒。
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