[发明专利]半导体ESD器件和方法

摘要

半导体ESD器件和方法。半导体器件实施例具有布置在ESD器件区段内的第二器件区段上的第一器件区段，所述ESD器件区段被布置在半导体主体内。还包括布置在第二器件区段上的第三器件区段，与第二器件区段相邻的第四器件区段，布置在第四器件区段内的第五器件区段，以及与第四器件区段相邻的第六器件区段。第一和第四区段具有第一半导体类型，并且第二、第三、第五和第六区段具有与第一导电类型相反的第二导电类型。第四器件区段与第六器件区段之间的界面形成二极管结。第一、第二、第四和第五器件区段形成硅控整流器。

主权项

一种半导体器件，包括：布置在半导体主体内的ESD器件区段；布置在第二导电类型的第二器件区段上的第一导电类型的第一器件区段，第二导电类型与第一导电类型相反，其中第一器件区段耦合到第一ESD节点，并且其中第二器件区段被布置在ESD区段内；布置在第二器件区段上的第二导电类型的第三器件区段；与第二器件区段相邻的第一导电类型的第四器件区段，第四器件区段被布置在ESD区段内；布置在第四器件区段内的第二导电类型的第五器件区段，其中第一器件区段、第二器件区段、第四器件区段和第五器件区段形成硅控整流器（SCR），其中第五器件区段耦合到第二ESD节点；以及与第四器件区段相邻的第二导电类型的第六器件区段，其中第四器件区段与第六器件区段之间的界面形成二极管结。