[发明专利]腔室装置及具有其的基片处理设备无效
申请号: | 201110327687.6 | 申请日: | 2011-10-24 |
公开(公告)号: | CN103060774A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 张秀川 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出一种腔室装置,包括腔室本体,腔室本体内限定有腔室;多层托盘,多层托盘沿着竖直方向间隔地设在腔室内,多层托盘通过竖直设置的支撑件固定连接且支撑件可被驱动转动,托盘分别用于承载基片;和扇形进气管路,扇形进气管路设置在腔室内,用于向承载在多层托盘的基片的至少一部分喷射工艺气体。根据本发明的基片处理设备能够有效地缩小托盘的径向温差,保证了温度场的均匀性,从而使基片加热均匀,处理效率高。本发明还提出一种具有上述腔室装置的基片处理设备。 | ||
搜索关键词: | 装置 具有 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种腔室装置,其特征在于,包括:腔室本体,所述腔室本体内限定有腔室;多层托盘,所述多层托盘沿着竖直方向间隔地设在所述腔室内,所述多层托盘通过竖直设置的支撑件固定连接且通过驱动所述支撑件转动带动所述托盘转动,所述多层托盘分别用于承载基片;以及进气管路,所述进气管路位于腔室内且设置在所述多层托盘的一侧,用于向承载在所述多层托盘的基片的至少一部分喷射工艺气体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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