[发明专利]大马士革结构制作方法

摘要

本发明公开了一种大马士革结构制作方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一介质层；在第一介质层中形成金属导线槽和冗余金属槽，金属导线槽暴露出半导体衬底；在金属导线槽和冗余金属槽内以及第一介质层上形成金属层；通过化学机械研磨工艺去除第一介质层上的金属层，以在金属导线槽内形成金属导线，并在冗余金属槽内形成冗余金属线；在第一介质层上形成图形化的硬掩膜层，图形化的硬掩膜层暴露出冗余金属线；以图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀去除冗余金属线，露出冗余金属槽；在去除冗余金属线的冗余金属槽内填充第二介质层。本发明大马士革结构制作方法，能够去除冗余金属线与冗余金属线之间、以及冗余金属线与金属导线之间的耦合电容。

主权项

一种大马士革结构制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成金属导线槽和冗余金属槽，所述金属导线槽暴露出所述半导体衬底；在所述金属导线槽和冗余金属槽内以及第一介质层上形成金属层；通过化学机械研磨工艺去除所述第一介质层上的金属层，以在所述金属导线槽内形成金属导线，并在所述冗余金属槽内形成冗余金属线；在所述第一介质层上形成图形化的硬掩膜层，所述图形化的硬掩膜层暴露出所述冗余金属线；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀去除所述冗余金属线，暴露出所述冗余金属槽；在所述去除所述冗余金属线的冗余金属槽内填充第二介质层。