[发明专利]保留部分无定形碳层的方法有效
| 申请号： | 201110328160.5 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102509694A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 景旭斌;杨斌;郭明升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种保留部分无定形碳层的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成多晶硅线；在多晶硅线上依次沉积无定形碳层、绝缘抗反射涂层和氮化硅硬掩膜层；在氮化硅硬掩膜层上涂敷光刻胶，光刻形成无定形碳层剥离区域的第一窗口；刻蚀第一窗口内的氮化硅硬掩膜层，停留在绝缘抗反射涂层上，在氮化硅硬掩膜层中形成第二窗口；刻蚀去除光刻胶；刻蚀去除第二窗口内的绝缘抗反射涂层和无定形碳层。本发明采用氮化硅硬掩膜层和无定形碳层的高刻蚀选择比，保留部分无定形碳层，保留的无定形碳层可以使用在后续工序中。 | ||
| 搜索关键词： | 保留 部分 无定形碳 方法 | ||
【主权项】：
一种保留部分无定形碳层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成多晶硅线；在多晶硅线上依次沉积无定形碳层、绝缘抗反射涂层和氮化硅硬掩膜层；在氮化硅硬掩膜层上涂敷光刻胶，光刻形成无定形碳层剥离区域的第一窗口；刻蚀第一窗口内的氮化硅硬掩膜层，停留在绝缘抗反射涂层上，在氮化硅硬掩膜层中形成第二窗口；刻蚀去除光刻胶；刻蚀去除第二窗口内的绝缘抗反射涂层和无定形碳层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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