[发明专利]GaN基双蓝光波长发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110328387.X | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102347408A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 章勇;严启荣;李述体;范广涵 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了GaN基双蓝光波长发光器件及其制备方法。其目的在于解决单蓝光芯片激发黄光荧光粉封装出的白光LED的显色性不足的问题。该GaN基双蓝光波长LED外延片的结构从衬底开始，依次为GaN缓冲层、GaN本征层、n-GaN层、反对称n-AlGaN层、高In组分量子阱、低In组分量子阱和p-GaN层，其特点是在混合多量子阱活性层和n-GaN之间引入反对称n-AlGaN层，同时移去p-GaN侧的p-AlGaN电子阻挡层。并将这种双蓝光波长芯片与黄光荧光粉封装成白光LED。 | ||
| 搜索关键词： | gan 基双蓝光 波长 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基双蓝光波长LED外延片，其结构从衬底开始，依次为GaN缓冲层、GaN本征层、n‑GaN层、反对称n‑AlGaN层、高In组分多量子阱、低In组分多量子阱和p‑GaN层。
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