[发明专利]一种用于薄膜晶体管的多晶硅激光退火方法有效
| 申请号： | 201110328744.2 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102403207A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 森本佳宏;邱勇;黄秀颀;陈红;魏朝刚 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于薄膜晶体管的多晶硅激光退火方法，其包括下列步骤：1.提供一基板，在该基板上形成一非晶硅薄膜；2.提供一准分子激光发生器，其能发射出脉冲激光束，该脉冲激光束照射该非晶硅薄膜形成一照射区域，使得该照射区域处于熔融状态；3.基板平移一扫描间距，准分子激光器再次射出一脉冲激光束，该扫描间距在平均扫描间距的0.8～1.2倍范围内变化，且前后两次的扫描间距差值在平均扫描间距的0.1倍范围内；4.重复步骤3，直到完成整个基板的激光照射。扫描间距在平均扫描间距的0.8～1.2倍范围内变化，且前后差值在平均值的0.1倍范围内，这样既抑制了容易在准分子激光退火工艺中的产生的显示不匀，又不会导致薄膜晶体管特性的差异过大，从而提升了显示质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 薄膜晶体管 多晶 激光 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种用于薄膜晶体管的多晶硅激光退火方法，其包括下列步骤：提供一基板，在该基板上形成一非晶硅薄膜；2.提供一准分子激光发生器，其能发射出脉冲激光束，该脉冲激光束照射该非晶硅薄膜形成一照射区域，使得该照射区域处于熔融状态；3.基板平移一扫描间距，准分子激光器再次射出一脉冲激光束，该扫描间距在平均扫描间距的0.8～1.2倍范围内变化，且前后两次的扫描间距差值在平均扫描间距的0.1倍范围内；4.重复步骤3，直到完成整个基板的激光照射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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